SS6285L是一款由工采网署理的率能DC双向马达驱动电路芯片；该芯片选用SOP8封装，契合ROHS规范，引脚结构100%无铅；它适用于玩具等类的电机驱动、主动阀门电机驱动、电磁门锁驱动等使用。

  36V/1.6A两通道H桥驱动芯片-SS8812T可代替DRV8812

  由工采网署理的SS8812T是一款双通道H桥电流操控电机驱动器；每个 H 桥可供给输出电流 1.6A，可驱动两个刷式直流电机，或许一个双极步进电机，或许螺线管或许其它理性负载；双极步进电机能够以整步、2 细分、4 细分运转，或许用软件完成高细分

  Teledyne e2v和英飞凌联合推出用于高可靠性边际核算太空体系的处理器发动优化计划

  英飞凌科技股份公司和Teledyne e2v联合开发了一款核算密集型航天体系的参阅规划。该规划以选用英飞凌抗辐射加固64 MB SONOS NOR Flash存储器的Teledyne e2v QLS1046－Space边际核算模块为中心，可用于高性能太空处理使用

  以高度灵敏性满足高功率密度和性能需求：英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合，推出全新电流额定值模块

  英飞凌科技股份公司推出搭载1200 V TRENCHSTOP IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规范高达 800 A ，扩展了英飞凌选用老练的62 mm 封装规划的产品组合

  2025年800亿颗！ 领军者SiFive布局折射RISC－V巨大潜力和发力要点

  “RISC－V势不可挡，” 暌违我国数年的RISC－V首要发明人、SiFive一起创办人兼首席架构师Krste Asanovic教授，在近来刚刚满意闭幕的2023 SiFive RISC－V我国技术论坛北京、上海、深圳三地巡回演讲时，一直强调了这一中心思维

  Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源使用中完成超卓功率

  为功率电子规划人员供给带有全额敏捷康复二极管的稳健型175℃规范IGBT。奈梅亨，2023年7月5日：根底半导体器材范畴的高产能出产专家Nexperia今天宣告，将凭仗600 V器材系列进军绝缘栅双极晶体管（IGBT）商场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军商场的第一炮

  安森美 （onsemi） M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构

  作者：安森美产品推行工程师Vladimir Halaj自电动汽车 （EV） 在汽车商场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在寻求更高功率的传动体系、更大的电池容量和更短的充电时刻。为完成用户需求和延伸行进路程，电动汽车制造商继续不断的添加车辆的电池容量

  2023 SiFive RISC－V我国技术论坛行将隆重开幕，北上深再掀开源风暴

  指令精简、模块化、可扩展……已于2022年使用7年时刻达到出货量100亿颗的路程碑，RSIC－V正在充沛的发挥本身的敞开开源优势，一路开疆拓土。身为RISC－V的发明者与领导厂商，SiFive正发挥开源